Shenzhen MATCHINGIC Technology Co Ltd: jūsu profesionālo digitālo izolatoru piegādātājs
Shenzhen MATCHINGIC Technology Co., Ltd tika dibināta 2010. gadā, uzņēmums vienmēr ievēro jēdzienu talants ir uzņēmuma bagātība, tirgus pilnveidošanās gados izveidoja uzņēmīgu, novatorisku darbinieku grupu, vienlaikus paplašinot savu tirgus daļu mājās un ārzemēs uzņēmums turpina optimizēt iekšējos biznesa procesus, uzlabot starptautisko pārdošanu un iepirkumu biznesu, ievērot tikai oriģinālās preces, padziļināt klientu apkalpošanas līmeni, pakāpeniski veidojot savas nozares priekšrocības.
Kāpēc izvēlēties mūs
Kvalitatīvi produkti
Mūsu produkti ir augstas kvalitātes un atbilst visiem nepieciešamajiem nozares standartiem. Mēs izmantojam progresīvas tehnoloģijas un modernu aprīkojumu, lai nodrošinātu, ka mūsu produkti ir visaugstākās kvalitātes.
Ātrs apstrādes laiks
Mums ir racionalizēts ražošanas process, kas nodrošina ātru izpildes laiku. Mēs varam ātri ražot un piegādāt klientiem, padarot tos par lielisku izvēli projektiem ar saspringtiem termiņiem.
Profesionāla komanda
Mums ir augsti kvalificētu tehnisko profesionāļu komanda, kas vienmēr ir gatavi palīdzēt ar visiem tehniskajiem jautājumiem, kas var rasties klientiem. Rūpnīca nodrošina visaptverošu tehnisko atbalstu, tostarp dizaina atbalstu, produktu izvēli un lietojumprogrammu atbalstu.
Kvalitatīvi pakalpojumi
Mēs sniedzam augstas kvalitātes pakalpojumus, kas atbilst augstākajiem nozares standartiem. Mēs savos darba procesos ievērojam labāko praksi un stingri ievērojam kvalitātes kontroles pasākumus, lai nodrošinātu, ka saviem klientiem sniedzam vislabākos rezultātus.
Integrētā shēma (IC) ir elektronisku komponentu komplekts, kurā simtiem līdz miljoniem tranzistoru, rezistoru un kondensatoru ir savstarpēji savienoti un veidoti uz plānas pusvadītāju materiāla (parasti silīcija) substrāta, veidojot nelielu mikroshēmu vai plāksni. Integrētās shēmas ir lielākās daļas elektronisko ierīču un aprīkojuma pamatelementi.
IC priekšrocības
● Mazs izmērs
● Sarežģītas shēmas var izgatavot kā integrētās shēmas, palīdzot uzlabot veiktspēju
● Uzticamākas nekā uz diskrētiem komponentiem balstītas shēmas
● Patērē mazāk enerģijas
● Vienkārša un ātra traucējummeklēšana
● Bez parazītu kapacitātes, tāpēc var sasniegt lielāku darbības ātrumu
● Lielapjoma ražošana ir vienkārša, saglabājot zemas izmaksas
IC veidi
Integrētās shēmas ir divu veidu:Digitālās un analogās integrālās shēmas.
- Digitālā IC
Elektronikā tiek izmantotas digitālās integrālās shēmas. Tie izmanto bināros datus, kas ir vai nu {{0}}, vai 1. Parasti ciparu shēmā 0 apzīmē 0V un 1 apzīmē +5V eG un vārtiem vai vārtiem, nand gate, xor gate, flip flops.
- Analogā IC
Tos galvenokārt izmanto audio frekvenču pastiprinātājos un radiofrekvenču pastiprinātājos. Tās ir pazīstamas arī kā lineārās integrālās shēmas. Izvade ir atkarīga no ieejas signāla. eG Darbības pastiprinātājiem, sprieguma regulatoriem, komparatoriem, taimeriem utt.
1. Tranzistors ir tieši ražots uz monokristāliskā silīcija.
2. Komponenti ir blīvi integrēti, un vadi kļūst arvien plānāki, līdz pat vietai, kur pašlaik tie ir nanomēroga plāni.
3. Ārējās savienojuma līnijas ir novadītas uz tapu vietu.
IC izgatavošana
Mikročipu izgatavošana ir ārkārtīgi precīza. To parasti veic īpašā vidē bez putekļiem, kas pazīstama kā "tīra telpa", jo pat mikroskopisks piesārņojums var padarīt mikroshēmu bojātu.
Integrētās shēmas parasti tiek izgatavotas no tīra silīcija plāksnītes. Mikroshēmas ir veidotas ārkārtīgi plānos slāņos, un, iespējams, pēdējā mikroshēmā ir 30 vai vairāk slāņu. Lai izveidotu mikroshēmā dažādus elektriskos komponentus, ir precīzi jānorāda, kur katrā slānī jāatrodas n- un p-tipa zonām. Pirmkārt, dizaineri izstrādā detalizētus rasējumus, kur precīzi jānorāda katra sastāvdaļa katrā ķēdes slānī. No katra dizaina slāņa tiek izveidots fotogrāfisks attēls, un attēli tiek samazināti, līdz tie ir vēlamās mikroshēmas lielumā.
Katrs mazais attēls tiek izmantots kā maska procesā, kas pazīstams kā fotolitogrāfija. Dažas maskas daļas ļauj izspīdēt gaismai, bet citas ne. Silīcija plāksne ir pārklāta ar materiālu, kas pazīstams kā fotorezists vai rezists. Uz vafeles tiek spīdēta ultravioletā gaisma. Parastā izmantotajā metodē ultravioletā starojuma iedarbībai pakļautais rezists tiek ķīmiski mainīts, padarot to viegli nomazgājamu. Atklātais rezistents tiek izšķīdināts un tiek uzklāta ķīmiska viela, kas iekodina silīcija slāni vietā, kas bija pakļauta ultravioletajai gaismai. Silīcijs apgabalā, ko aizsargāja maska, paliek neskarts. Pēc tam tiek izmantots īpašs ķīmiskais šķīdinātājs, lai noņemtu atlikušo rezistentu. Šis process tiek atkārtots daudzas reizes, veidojot mikroshēmu slāni pa slānim.
Starp šiem ražošanas posmiem silīcijs tiek leģēts ar rūpīgi kontrolētu piemaisījumu daudzumu, piemēram, arsēnu un boru. Mikroshēmā ir iebūvētas arī sīkas metāla vai vadoša polikristāliskā silīcija līnijas, lai nodrošinātu savienojumus, piemēram, vadus, starp tās tranzistoriem. Kad izgatavošana ir pabeigta, tiek pievienots pēdējais izolācijas stikla slānis, un vafele tiek sazāģēta atsevišķās skaidās. Katra mikroshēma tiek pārbaudīta, un tās, kas iztur, ir uzstādītas cietā plastmasas iepakojumā. Katram plastmasas iepakojumam ir metāla savienojuma tapas, lai savienotu mikroshēmu ar ierīci, kurā tā tiks izmantota, piemēram, datora shēmas platei.
Kādu lomu spēlē integrālās shēmas
Samaziniet izmantoto komponentu skaitu. Kopš integrālo shēmu izgudrošanas maza mēroga integrālās shēmas ir samazinājušas satura komponentu skaitu un ievērojami uzlabojušas diskrēto komponentu tehnoloģiju.
Produkta veiktspēja ir ievērojami uzlabota. Komponentu integrēšana kopā ne tikai samazina ārējo elektrisko signālu traucējumus, bet arī uzlabo ķēdes dizainu un paātrina darbību.
Lietotājam draudzīgāka lietojumprogramma viena shēma atbilst vienai funkcijai, un viena funkcija ir saspiesta vienā integrālajā shēmā. Izmantojot šo pieeju, jebkura funkcija var tikt ieviesta attiecīgajā integrālajā shēmā turpmākajās lietojumprogrammās, ievērojami vienkāršojot procesu.
Integrētā shēma VS Diskrētā shēma
Integrētā shēma (IC) ir viena vienība, kas sastāv no miljoniem elektronisku komponentu, piemēram, tranzistoru, rezistoru un kondensatoru. Tās ieviešana pārveidoja elektronikas nozari un pavēra ceļu tādiem sīkrīkiem kā mobilie tālruņi, klēpjdatori, CD atskaņotāji, televizori un dažādas citas sadzīves tehnikas. To mazā izmēra, lielās uzticamības un efektivitātes dēļ IC mūsdienās tiek izmantotas praktiski visos elektroniskajos produktos. Elektroniskās ierīces būtu lēnākas un lielākas bez IC. Turklāt plaši izplatītā mikroshēmu izmantošana palīdzēja izplatīt modernus elektroniskos sīkrīkus visos pasaules malās.
Diskrētā shēma ir ķēde, kas sastāv no atsevišķiem kopā savienotiem elektroniskiem komponentiem. Ja tiek izmantoti diskrēti komponenti, lai ieviestu shēmas vai sistēmas ar sarežģītām funkcijām, tas neizbēgami novedīs pie liela komponentu skaita, izmēra, svara un enerģijas patēriņa palielināšanās, kā arī sliktas uzticamības.
Salīdzinot ar diskrētajām shēmām, IC ir divas galvenās priekšrocības: izmaksas un veiktspēja. Izmaksas ir minimālas, jo mikroshēmas tiek drukātas kā vienība ar visām to sastāvdaļām, nevis tiek būvētas pa vienam tranzistoram, izmantojot fotolitogrāfiju. Iepakotās integrālās shēmas arī izmanto daudz mazāk materiālu nekā diskrētās shēmas. To kompaktā izmēra un tuvuma dēļ IC komponenti ātri pārvēršas un prasa ļoti maz enerģijas. Integrēto shēmu būtiskākais trūkums ir lielie nepieciešamo fotomasku projektēšanas un izgatavošanas izdevumi. Augsto sākotnējo izmaksu dēļ IC ir finansiāli dzīvotspējīgas tikai tad, ja ir sagaidāmi lieli ražošanas apjomi.
Kā tiek izgatavotas integrālās shēmas?
Kā izveidot datora atmiņu vai procesora mikroshēmu? Viss sākas ar neapstrādātu ķīmisko elementu, piemēram, silīciju, kas tiek ķīmiski apstrādāts vai leģēts, lai tam būtu dažādas elektriskās īpašības.
- Dopinga pusvadītāji
Tradicionāli cilvēki domāja par materiāliem, kas ietilpst divās glītās kategorijās:Tie, kas ļauj elektrībai plūst cauri diezgan viegli (vadītāji) un tie, kas ne (izolatori). Metāli veido lielāko daļu vadītāju, savukārt nemetāli, piemēram, plastmasa, koks un stikls, ir izolatori.
Faktiski lietas ir daudz sarežģītākas par šo — jo īpaši, ja runa ir par atsevišķiem elementiem periodiskās tabulas vidū (14. un 15. grupā), īpaši silīciju un germāniju. Parasti izolatoros šos elementus var padarīt vairāk kā vadītājus, ja pievienojam tiem nelielu daudzumu piemaisījumu procesā, kas pazīstams kā dopings. Ja pievienojat silīcijam fosforu (vai antimonu), jūs piešķirat tam nedaudz vairāk brīvo elektronu, nekā tas parasti būtu, un spēju vadīt elektrību. Tādā veidā "leģētu" silīciju sauc par n-veida. Pievienojiet boru, nevis fosforu, un jūs noņemat dažus silīcija brīvos elektronus, atstājot aiz sevis "caurumus", kas darbojas kā "negatīvie elektroni", nesot pozitīvu elektrisko strāvu pretējā veidā. Šāda veida silīciju sauc par p-tipu. Novietojot n-tipa un p-tipa silīcija laukumus blakus, veidojas krustojumi, kuros elektroni uzvedas ļoti interesantā veidā — un tā mēs izveidojam elektroniskas, uz pusvadītājiem balstītas sastāvdaļas, piemēram, diodes, tranzistorus un atmiņas.
- Šķeldas rūpnīcas iekšpusē
Integrālās shēmas izgatavošanas process sākas ar lielu vienu silīcija kristālu, kas veidots kā gara cieta caurule, kas tiek "salami sagriezta" plānos diskos (apmēram kompaktdiska izmēros), ko sauc par vafelēm.
Vafeles ir iezīmētas daudzos identiskos kvadrātveida vai taisnstūrveida apgabalos, no kuriem katrs veidos vienu silīcija mikroshēmu (dažreiz sauktu par mikroshēmu). Pēc tam katrā mikroshēmā tiek izveidoti tūkstošiem, miljoniem vai miljardiem komponentu, leģējot dažādus virsmas laukumus, lai pārvērstu tos n tipa vai p tipa silīcijā. Dopings tiek veikts dažādos procesos. Vienā no tiem, ko sauc par izsmidzināšanu, dopinga materiāla joni tiek izšauti uz silīcija plāksni kā lodes no pistoles. Cits process, ko sauc par tvaiku pārklāšanu, ietver dopinga materiāla ievadīšanu kā gāzi un ļaujot tam kondensēties, lai piemaisījumu atomi izveidotu plānu plēvi uz silīcija vafeles virsmas. Molekulārā stara epitaksija ir daudz precīzāks nogulsnēšanās veids.
Protams, tādu integrēto shēmu izveide, kas simtiem, miljoniem vai miljardiem komponentu iesaiņo nagu lieluma silīcija mikroshēmā, ir nedaudz sarežģītāka un iesaistītāka, nekā izklausās. Iedomājieties, kādu postu var izraisīt pat netīrumu daļiņa, strādājot mikroskopiskā (vai dažreiz pat nanoskopiskā) mērogā. Tāpēc pusvadītāji tiek izgatavoti nevainojamā laboratorijas vidē, ko sauc par tīrām telpām, kur gaiss tiek rūpīgi filtrēts un darbiniekiem ir jāiet iekšā un ārā pa gaisa slūžām, valkājot visa veida aizsargtērpus.
Integrētā shēma (IC) ir viena vienība, kas sastāv no miljoniem elektronisku komponentu, piemēram, tranzistoru, rezistoru un kondensatoru. Tās ieviešana pārveidoja elektronikas nozari un pavēra ceļu tādiem sīkrīkiem kā mobilie tālruņi, klēpjdatori, CD atskaņotāji, televizori un dažādas citas sadzīves tehnikas. To mazā izmēra, lielās uzticamības un efektivitātes dēļ ics mūsdienās tiek izmantoti praktiski visos elektroniskajos izstrādājumos. Elektroniskās ierīces būtu lēnākas un lielākas bez IC. Turklāt plaši izplatītā mikroshēmu izmantošana palīdzēja izplatīt modernus elektroniskos sīkrīkus visos pasaules malās.
1. Dažādi efekti
Uz mikroshēmām var ietilpt vairāk shēmu. Saskaņā ar Mūra likumu, kas nosaka, ka tranzistoru skaits integrālajās shēmās dubultojas ik pēc 1,5 gadiem, tas palielina kapacitāti uz laukuma vienību, kas var samazināt izmaksas un uzlabot funkcionalitāti.
Integrētās shēmas konstrukcija apvieno visas sastāvdaļas vienā vienībā, kas ievērojami uzlabo elektronisko komponentu miniaturizāciju, zemu enerģijas patēriņu, intelektu un augstu uzticamību. Uz zirņa izmēra materiāla IC var ievietot simtiem tūkstošu diskrētu tranzistoru. Integrālās shēmas attīstība pavēra ceļu informācijas laikmeta tehnoloģijām.
2. Dažādas formas un iepakojumi
Mikroshēmas, kuras bieži ražo uz pusvadītāju plāksnīšu virsmas, ir ķēžu (galvenokārt pusvadītāju ierīces, bet arī pasīvās sastāvdaļas utt.) miniaturizācijas paņēmiens. Dual in-line pakotne jeb dip ir visizplatītākais standarts, ko izmanto praktiski visi mikroshēmu ražotāji. Tas apzīmē taisnstūrveida paketi ar tapām, kas starp secīgām rindām ir izvietotas ar 0,1 collas un 2,54 mm ({5}},1 collas) daudzkārtni.
Kompaktu elektronisko komponentu vai sīkrīku sauc par integrēto shēmu. Vienkāršai apstrādei un montāžai uz iespiedshēmu plates, kā arī lai pasargātu ierīci no bojājumiem, integrālās shēmas tiek ievietotas aizsargiepakojumos. Ir daudz dažādu pakešu veidu.
Reizēm ir iespējams pieslēgt īpaši ražotas integrālās shēmas veidnes tieši pie substrātiem, neizmantojot starpsavienojumus vai nesējus. Flip-chip sistēmā lodēšanas izciļņi tiek izmantoti, lai savienotu IC ar pamatni. Metalizācijas paliktņi, kas tiek izmantoti parastajās mikroshēmās stiepļu savienošanai, ir biezāki un pagarināti staru stiepļu tehnoloģijā, lai nodrošinātu ārējos savienojumus ar ķēdi. Ierīce ir aizsargāta no mitruma ar papildu iepakojumu vai epoksīda pildījumu komponentos, kuros ir izmantotas "tukšas" skaidas.
Ķēdes kontaktu spailes (tapas) izvirzās no integrālās shēmas (IC) korpusa, kas atrodas izturīgā korpusā, kas izgatavots no izolācijas materiāla ar labu siltuma vadītspēju. Atkarībā no tapas konfigurācijas var izmantot dažādus ic pakotņu veidus. Divkāršās rindas pakotne (DIP), plastmasas četrstūrains iepakojums (PQFQ) un flip chip lodīšu režģa bloks (FCBGA) ir iepakojuma veidu piemēri.
3. Izgatavots savādāk
Tranzistori, rezistori, kondensatori un induktori, cita starpā, ir savstarpēji savienoti, izmantojot īpašu procedūru integrālajās shēmās, kuras tiek izveidotas uz vienas vai vairākām sīkām pusvadītāju plāksnēm vai dielektriskām substrātiem un pēc tam iepakotas caurulē. Mikroshēmas izgatavošana sākas ar viena kristāla silīcija plāksni, ko pēc tam izmanto kā pamatslāni.
Atšķirība starp mikroshēmām un integrālajām shēmām ir aprakstīta iepriekš. Tā kā virsmas IC iepakojums ir līdzīgs mikroshēmu iepakojumam, integrētās shēmas parasti sauc par mikroshēmām. IC grupas vietā integrēto shēmu grupu bieži sauc par mikroshēmojumu. Gandrīz visās mūsdienu elektriskās ierīcēs tiek izmantotas integrālās shēmas jeb IC. Integrētā shēma tika izveidota, pateicoties pusvadītāju tehnoloģiju un ražošanas metožu attīstībai.
Vakuuma caurules tika izmantotas, lai ieviestu loģiskos vārtus un slēdžus visās datoru ierīcēs pirms integrēto shēmu (IC) izstrādes. Būtībā vakuuma caurules ir diezgan masīvas, jaudīgas iekārtas. Diskrētās ķēdes sastāvdaļas ir jāsavieno manuāli, tāpat kā jebkurā ķēdē. Šie efekti rada diezgan masīvus un dārgus sīkrīkus pat visvienkāršākajām skaitļošanas funkcijām. Pirms pieciem gadiem datori bija milzīgi un dārgi, un personālie datori bija tāls sapnis.
FAQ
Mēs esam profesionāli ic ražotāji un piegādātāji Ķīnā, kas specializējas augstas kvalitātes produktu nodrošināšanā ar zemu cenu. Ja plānojat iegādāties lētu ic noliktavā, laipni lūdzam saņemt cenrādi un bezmaksas paraugu no mūsu rūpnīcas.