
MOCD211R1M
Apraksts
Tehniskie parametri
Saistītie produkti:
|
Mfr Part |
MOCD211M |
MOCD211R1M |
MOCD211R1VM |
MOCD211R2M |
MOCD211R2VM |
MOCD211VM |
|
Apraksts |
OPTOPORA, FOTOTRANSIZTORS IZVĒRTĒ |
OPTOPORA, FOTOTRANSIZTORS IZVĒRTĒ |
OPTOPORA, FOTOTRANSIZTORS IZVĒRTĒ |
OPTOPORA, FOTOTRANSIZTORS IZVĒRTĒ |
OPTOPORA, FOTOTRANSIZTORS IZVĒRTĒ |
OPTOPORA, FOTOTRANSIZTORS IZVĒRTĒ |
|
Krājumi |
80000 |
80000 |
80000 |
80000 |
80000 |
80000 |
|
Produkta statuss |
Aktīvs |
Aktīvs |
Aktīvs |
Aktīvs |
Aktīvs |
Aktīvs |
|
Spriegums - Izolācija |
3750 Vrms |
3750 Vrms |
3750 Vrms |
3750 Vrms |
3750 Vrms |
3750 Vrms |
|
Pašreizējais pārsūtīšanas koeficients (min.) |
20% pie 10mA |
20% pie 10mA |
20% pie 10mA |
20% pie 10mA |
20% pie 10mA |
20% pie 10mA |
|
Pašreizējais pārsūtīšanas koeficients (maks.) |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
|
Ieslēgšanas/izslēgšanas laiks (tips) |
3us, 3us |
3us, 3us |
3us, 3us |
3us, 3us |
3us, 3us |
3us, 3us |
|
Ievades veids |
DC |
DC |
DC |
DC |
DC |
DC |
|
Izvades veids |
Tranzistors DC |
Tranzistors DC |
Tranzistors DC |
Tranzistors DC |
Tranzistors DC |
Tranzistors DC |
|
Spriegums — izeja (maks.) |
80V |
80V |
80V |
80V |
80V |
80V |
|
Pašreizējais - izvade / kanāls |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
|
Spriegums — uz priekšu (Vf) (tips) |
1.3V |
1.3V |
1.3V |
1.3V |
1.3V |
1.3V |
|
Strāva — līdzstrāvas pārsūtīšana (ja) (maks.) |
60 mA |
60 mA |
60 mA |
60 mA |
60 mA |
60 mA |
|
Darba temperatūra |
-55 grāds ~ 110 grādi |
-55 grāds ~ 110 grādi |
-55 grāds ~ 110 grādi |
-55 grāds ~ 110 grādi |
-55 grāds ~ 110 grādi |
-55 grāds ~ 110 grādi |
|
Iepakojums / futrālis |
SOP8 (3,9 x 1,27) |
SOP8 (3,9 x 1,27) |
SOP8 (3,9 x 1,27) |
SOP8 (3,9 x 1,27) |
SOP8 (3,9 x 1,27) |
SOP8 (3,9 x 1,27) |
|
Iepakojums |
Lente un spole (TR) |
Lente un spole (TR) |
Lente un spole (TR) |
Lente un spole (TR) |
Lente un spole (TR) |
Lente un spole (TR) |
Pieteikumss:
• Dažādu potenciālu un pretestību saskarnes un sakabes sistēmas • Vispārējas nozīmes komutācijas shēmas
• Monitora un noteikšanas shēmas
Vispārīgs apraksts:
Ierīce MOCD211-M sastāv no divām gallija arsenīda infrasarkano staru izstarojošām diodēm, kas ir optiski savienotas ar diviem monolītiem silīcija fototranzistoru detektoriem, virsmas montējamā, mazas kontūras plastmasas iepakojumā. Tas ir ideāli piemērots liela blīvuma lietojumiem un novērš nepieciešamību pēc montāžas paneļa.
Populāri tagi: mocd211r1m, Ķīna mocd211r1m ražotāji, piegādātāji
Pāri
MOCD208R1MNākamo
MOCD213R1MNosūtīt pieprasījumu
Jums varētu patikt arī







